导语：第三代半导体材料SiC和GaN的发展备受关注，SiC在商业化方面领先于GaN，但GaN有望在未来超越SiC。国内SiC领域的融资并购活动频繁，实现规模效应和降本增效，并稳定产能。此外，国内SiC衬底质量和工艺差距正在逐步缩小，中国企业在技术和设备方面有着优势。同时，SiC晶圆的尺寸正在从4到6寸过渡，而8寸尺寸目前全球只有少数厂商进行试产。然而，SiC衬底的长晶技术和后续加工过程仍然存在挑战，需要技术迭代和创新。激光切割技术可能成为下一代主流方案。在这篇文章中，我们将全面解析SiC与GaN的发展趋势，以及国内龙头厂商的优势和挑战。
第三代半导体路在何方，十问十答？
? SiC和GaN作为第三代半导体材料，SiC相较GaN有三年左右的商业化领先，但GaN后续有望反超。
?SiC领域的融资并购活动频繁，主要为实现规模效应及降本增效，并锁定产能的稳定性。今年10月11日，日本的三菱电机和Denso分别投资5亿美元在Coherent子公司Silicon Carbide LLC，各占股12.5%，签署6寸和8寸SiC晶圆的长期供应协议，提前锁定日本市场。
?目前，国内SiC衬底龙头在质量层面实现突破，工艺差距在逐步缩小。主要鉴于：1）技术来源：国内 60 余家 SiC 衬底企业，主要的技术和人才来源于天科合达和天岳先进；2）质量：国内 SiC 衬底质量能与国外巨头相媲美，具备竞争力；3）工艺：海外内龙头企业在长晶速度上距离也缩小。专家表示，国内长晶速度在每周 20-30mm（切 20-30 片），Wolfspeed 和 Coherent 长晶速度在每 10 余天长 40-50mm（切 40-50 片）；4）长晶设备：国产替代率较高，性价比也较高；5）能源：由于长晶炉内温度高达 2400 摄氏度，而国内太阳能、风电水电充足，有潜在降本可能性。
? 目前，国内晶圆尺寸在从4到6寸过渡，6寸在去年开始大规模量产，而8寸目前全球只有Wolfspeed在纽约的莫霍克谷工厂有小批量试产。
? 长晶技术是研发SiC衬底的核心挑战，由于长晶过程类似“黑匣子”，在高良率和拉晶长度之间取合适平衡需要大量的工艺经验积累。后续切磨抛过程中出现的应力、翘曲等问题亟需技术迭代，激光切割技术或为下一代主流方案
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