晶盛机电在2024年面临关键时刻，将实现800V主驱和8寸突破。国内sic衬底的技术优势使得其在芯片端的良率高达90%，超过海外衬底。此外，晶盛机电对8寸规格也取得了积极进展，预计2024年上半年就能达到6寸水平。公司通过降低成本的各个环节，如提高长晶出片率和速度，改进加工设备效率等，进一步提升了技术和成本优势。投资者们需要密切关注晶盛机电在2024年的发展。
?2024年为关键一年——800V+8寸突破。
相较于海外衬底，国内sic衬底的规格更高，目前II-VI的衬底国内不再使用，从下游芯片端来看，用国外衬底做出的mos芯片良率约70-80%，而国内衬底做出的mos芯片良率可达90%。2024年对于国内sic的产业链会比较关键，取决于①800V认证，进主驱；②8寸的机遇。
?晶盛8寸进展或超预期。
国内对转8寸比海外龙头更积极，技术上对8寸的规格要求和6寸接近，目前晶盛8寸达到和6寸相同的水平只差3个月，预计2024年上半年8寸就可以达到目前6寸的水平，而且公司的产线6、8寸都是通用的，转换时间很快、只需要1-2个月。
?长晶、加工等各环节都有较多手段降本。
（1）长晶段降本努力主要两点即出片率提高+长晶速度提高，分为两种思路——薄+良品率高、厚+良品率低，目前采用长得薄+良品率高的方案。
（2）加工段着眼大头项降本，例如①抛光设备效率的提升：一盘贴4片到贴5片，成本就是20%的下降；②耗材的节省，比如抛光液等，碳化硅的降本可以参考蓝宝石的降本过程。
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