导语：根据海力士的调研总结，明年的HBM产能已经被客户预订一空，即使考虑到明年将TSV产能翻番。海力士计划增加2024年的资本支出，并采取保守态度对待NAND的资本支出，重点集中在用于HBM的1Bnm DRAM和用于高密度DDR5的1Anm DRAM上。此外，供应商库存将在2023年下半年逐渐下降，预计在2024年上半年达到DRAM的正常水平，但NAND的正常化需要更长的时间。明年，DRAM和NAND产量的同比增长率仅为个位数%，这将有助于降低全年的库存。
即使考虑明年将 TSV 产能翻番，海力士明年的 HBM 产能也已被客户预订一空。由于客户连定价范围都已确定，公司认为失去 HBM 市场领先地位的风险不大。虽然公司预计市场上最终会出现竞争对手，但公司计划在下一代 HBM 成为主流产品后，继续保持市场领先地位。虽然该公司认为 HBM 的最大良率将低于普通 DRAM，但还是会高于竞争对手。
海力士预计明年 PC 和智能手机出货量将同比增长低个位数%，而 DRAM 和 NAND 2024将同比增长 10-15%。
供应端，由于直到今年年中，生产量仍然超过需求量，库存水平从第三季度才开始下降。该公司预计，供应商库存的下降速度将在 23 年第四季度加快，并在 24 年上半年的某个时候达到 DRAM 的正常水平，但 NAND 库存的正常化需要更长的时间，并在 24 年下半年的某个时候达到正常水平。
海力士计划2024增加资本支出，因为今年的资本支出处于绝对最低水平，项目都被搁置。但不打算将资本支出提高到以往水平。将对 NAND 资本支出持保守态度，而重点将放在用于 HBM 的 1Bnm DRAM 和用于高密度 DDR5 的 1Anm DRAM 上。
海力士认为，行业内大部分 DRAM 减产都是针对 1Ynm 节点，因此除非 1Ynm 的利润率恢复到一定水平以上，否则供应商不会启用已停产的设备。该公司认为，明年不可能达到行业晶圆开工高峰，最好的情况也是在 2025 年开工达到高峰。因此明年 DRAM 和 NAND 产量的同比增长率仅为个位数%，这有助于降低全年的库存。
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