Marvel业绩会后回顾：ASIC交付预期大幅提升，HBM4标准放宽或推迟混合键合技术采用

公司澄清，预计ASIC在FY4Q25结束时的run rate将远高于之前说的2亿美元/季度，受AI的“显著”推动，预计全年交付远高于8亿美元。AI项目中有两个项目很重要，其中一个非常大。交换机和DSP产品推进到3nm，以及更进一步的2nm。运营商和企业市场，预计四月季度将是底部，增长将在下半年更加显著地恢复。但提到利润率时又略显保守，又说企业网络和存储的反弹情况还有点不确定。预计下一季度的光学（DSP等）同比增长强劲。

关于HBM4标准放宽，影响Hybrid Bonding，Barclays的分析：据报道，HBM4的标准已经设定，这可能会推迟混合键合技术的采用。我们本周与韩国内存厂商的会议也表明，采用时间比之前预期的要晚，这可能会推迟HB的采用。科技媒体ZDNET Korea（2024年3月8日）报道，JEDEC已经设定了12层和16层HBM4（下一代高带宽内存）的行业标准，与前一代HBM3的720微米相比，HBM封装的厚度已放宽至775微米。如果属实，意味着16层HBM目前不需要混合键合，可以使用现有的键合技术。

我们最近举办了Besi公司CEO的谈话，他说如果封装高度保持不变，那么这可能会加速混合键合的采用，因为这是在不超出现有高度限制的情况下，从12层增加到16层的唯一方式。但我们本周与亚洲的ODMs、供应链和半导体公司进行了交流，根据他们的反馈，HBM4最初将是12层，并使用现有技术，意味着内存厂商将探索所有选项，16层的混合键合不是唯一选择，正在与现有技术一起探索。无论JEDEC规格是否有任何变化，看起来HBM4最初都不会采用Hybrid Bonding。

当然，高度厚度只是采用HB的一个原因，另一个好处是增加互连密度，也只能通过HB实现，因此继续看到HBM在某个时刻转向HB。在我们看来，Besi管理层最近一直在试图降低预期，我们预计HBM采用hybrid bonding可能在2025年底。