导语：最新报告显示，2024年第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%，NAND Flash也将同步涨幅。据TrendForce集邦咨询表示，HBM3e产品将可能排挤DDR5供给，对市场造成一定影响。北美云端服务业者开始扩大采用QLC Enterprise SSD，推动供应商库存去化。对此，投资建议包括eSSD模组、HBM、存储测试机等领域。
据TrendForce集邦咨询最新预估，2024年第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%（原预期3~8%）；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%（原预期13~18%），全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小，约10%。
403震后，市场零星传出有PC OEM供应商出于特殊考量，接受高昂的DRAM及NAND Flash合约价涨幅，但仅是零星成交情况。至4月下旬，相关业者陆续完成新一轮合约价议价后，涨幅较原先预期扩大, 推动TrendForce集邦咨询同步上修第二季DRAM、NAND Flash合约价涨幅，除了反映买方欲支撑在手库存的价值，关键更包含供需两端对AI市场展望的考量。
TrendForce集邦咨询表示，由于原厂担忧后续出现HBM产能排挤效应，以三星（Samsung）来看，HBM3e产品采用1alpha制程节点，至2024年底将占用1alpha制程产能约六成，进一步排挤DDR5供给量，尤其以第三季HBM3e生产即将放量的时间点影响最大，经评估后买方转而愿意第二季提前备货，应对第三季起可能出现HBM供应短缺。
随着节能成为AI推理服务器（AI Inference Server）优先考量，北美云端服务业者（CSP）扩大采用QLC Enterprise SSD作为存储的解决方案，带动QLC Enterprise SSD需求，并加速部分供应商的库存去化，推动部分供应商出现惜售心态。
投资建议：（1）eSSD模组：佰维存储、德明利、江波龙、协创数据、香农芯创；（2）HBM：雅克科技、香农芯创、通富微电、联瑞新材等；（3）存储测试机：长川科技；（4）NOR FLASH：兆易创新。
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